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元件参数资料
>
参数目录42004
> BSP250,135 MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
型号:
BSP250,135
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSP250,135 PDF
标准包装
4,000
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫欧 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.8V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
250pF @ 20V
功率 - 最大
1.65W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SC-73
包装
带卷 (TR)
其它名称
568-6960-2
934033450135
BSP250 /T3
BSP250 /T3-ND
BSP250,135-ND
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